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动态随机存取存储器MT47H64M16NF-25E:M
参数：
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR2
存储容量 1Gb （64M x 16）
存储器接口 并联
时钟频率 400MHz
写周期时间 - 字，页 15ns
访问时间 400ps
电压 - 电源 1.7V ~ 1.9V
工作温度 0°C ~ 85°C（TC）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 84-TFBGA
供应商器件封装 84-FBGA（8x12.5）
特征：
·Vop = + 1.8V±0.1V，VDDO = + 1.8V±0.1V
·JEDEC标准1.8V1 / O（SSTL_18兼容）
·差分数据选通（DQS，DQS＃）选项
·4n位预取架构
·x8的重复输出选通（RDQS）选项
·DLI将DQ和DQS转换与CK对齐
·8个内部银行同时运作
·可编程CAS延迟（CL）
·发布CAS附加延迟（AL）
·WRITE延迟= READ延迟-1CK
·MT47H64M16NF-25E:M可选突发长度（BL）：4或8
·可调节的数据输出驱动强度
·64ms，8192周期刷新
·片上终端（ODT）
·工业温度（IT）选项
·符合RoHS标准
·支持JEDEC时钟抖动规范
选项
·组态
-256Meg×4（32 Megx4x8组）256M4
-128 Megx8（16 Meg x8x8 bank）128M8-64Meg x16（8 Megx 16×8 bank）64M16
·FBGA封装（无铅）-x16
-84-ball FBGA（8mmx12.5mm）HR Rev.G.H
·FBGA封装（无铅） - ×4，x8
-60-ball FBGA（8mmx11.5mm）HQ Rev.G
·FBGA封装（无铅） - ×4，x8
-60-ball FBGA（8mmx 10mm）Rev.H CF.
·FBGA封装（铅焊料）-x16
-84-ball FBGA（8mmx12.5mm）Hw Rev.G，H
·FBGA封装（铅焊料） - ×4，x8
-60-球FBGA（8mmx11.5mm）HV Rev.G
·FBGA封装（铅焊料）-X4，x8
-60-ball FBGA（8mmx 10mm）ReV.H JN
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动态随机存取存储器MT47H64M16NF-25E:M